STL260N4LF7

Властивості продукту

Виробник:
 STMicroelectronics
Пакет / футляр:
 PowerFLAT5x6-8
Кількість каналів:
 1 Канал
Тип товару: MOSFET

 

Категорія:
Виробник:
 STMicroelectronics
Категорія товару: MOSFET
Technology:
 Si
Стиль монтажу:
 SMD/SMT
Пакет / футляр:
 PowerFLAT5x6-8
Transistor Polarity:
 N-Channel
Кількість каналів:
 1 Канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 40 V
Id – Continuous Drain Current:
 120 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.1 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2.5 V
Qg – Gate Charge:
 42 nC
Мінімальна робоча температура:
 – 55 C
Максимальна робоча температура:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 188 W
Channel Mode:
 Enhancement
Пакування:
 Котушка.
Пакування:
 Розрізати стрічку
Пакування:
 MouseReel
Бренд: STMicroelectronics
Fall Time: 23 ns
Тип товару: MOSFET
Rise Time: 14 ns
Кількість в заводській упаковці: 3000
Підкатегорія: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 74 ns
Typical Turn-On Delay Time: 21 ns
Одиниця ваги: 0.002681 oz

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, are available to make adding to a design-in easy.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials’ advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST’s 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Відгуки

Відгуків немає, поки що.

Будьте першим, хто залишив відгук “STL260N4LF7”“

Схожі товари

Швидкий перегляд

TS912IDT

Швидкий перегляд

TS27L2AIDT

Швидкий перегляд

LM219DT

Швидкий перегляд

LM339PT

Швидкий перегляд

TSV792IST

Швидкий перегляд

LM324QT

Швидкий перегляд

TL084AIDT

Заповнювач
Швидкий перегляд

TL072ACDT

ukUK
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK