NVMJST1D4N06CLTXG

Властивості продукту

Виробник:	онсемі
Пакет / футляр:	TCPAK57
Кількість каналів:	1 Канал
Серія:	NVMJST1D4N06CL
Тип товару:	MOSFET

Надіслати запит

Категорія: ONSEMI

Опис
Відгуки (0)

Виробник:	онсемі
Категорія товару:	MOSFET
Стиль монтажу:	SMD/SMT
Пакет / футляр:	TCPAK57
Transistor Polarity:	N-Channel
Кількість каналів:	1 Канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id – Continuous Drain Current:	198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg – Gate Charge:	92.2 nC
Мінімальна робоча температура:	– 55 C
Максимальна робоча температура:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	113 W
Channel Mode:	Enhancement
Серія:	NVMJST1D4N06CL
Бренд:	онсемі
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	217 S
Тип товару:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Кількість в заводській упаковці:	3000
Підкатегорія:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	60 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns

Більше інформації

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Відгуки

Відгуків немає, поки що.

NVMJST1D4N06CLTXG

Більше інформації

Single N-Channel Power MOSFETs

Відгуки

Будьте першим, хто залишив відгук “NVMJST1D4N06CLTXG”“ Скасувати коментар

Схожі товари

Логін