|
Виробник: |
онсемі |
| Категорія товару: | MOSFET |
| REACH – SVHC: | |
|
Technology: |
Si |
|
Стиль монтажу: |
Through Hole |
|
Пакет / футляр: |
TO-220-3 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Кількість каналів: |
1 Канал |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
40 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
82 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
5 V |
|
Qg – Gate Charge: |
81 nC |
|
Мінімальна робоча температура: |
– 55 C |
|
Максимальна робоча температура: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
313 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Серія: |
NTP082N65S3HF |
|
Пакування: |
Трубка |
| Бренд: | онсемі |
| Тип товару: | MOSFET |
| Кількість в заводській упаковці: | 800 |
| Підкатегорія: | MOSFETs |
NTP082N65S3HF
Властивості продукту
|
Виробник: |
онсемі |
|
Пакет / футляр: |
TO-220-3 |
|
Кількість каналів: |
1 Канал |
|
Серія: |
NTP082N65S3HF |
| Тип товару: | MOSFET |
UK 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR
Відгуки
Відгуків немає, поки що.