NTMFS3D6N10MCLT1G

Властивості продукту

Виробник:	онсемі
Пакет / футляр:	SO-8FL-4
Кількість каналів:	1 Канал
Серія:	NTMFS3D6N10MCL
Тип товару:	MOSFET

Надіслати запит

Категорія: ONSEMI

Опис
Відгуки (0)

Виробник:	онсемі
Категорія товару:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
Стиль монтажу:	SMD/SMT
Пакет / футляр:	SO-8FL-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Кількість каналів:	1 Канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id – Continuous Drain Current:	131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Qg – Gate Charge:	60 nC
Мінімальна робоча температура:	– 55 C
Максимальна робоча температура:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	136 W
Channel Mode:	Enhancement
Серія:	NTMFS3D6N10MCL
Пакування:	Котушка.
Пакування:	Розрізати стрічку
Пакування:	MouseReel
Бренд:	онсемі
Тип товару:	MOSFET
Кількість в заводській упаковці:	1500
Підкатегорія:	MOSFETs

Більше інформації

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (R_DS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

Відгуки

Відгуків немає, поки що.

NTMFS3D6N10MCLT1G

Більше інформації

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

Відгуки

Будьте першим, хто залишив відгук “NTMFS3D6N10MCLT1G”“ Скасувати коментар

Схожі товари

Логін