BFU530VL

Властивості продукту

Категорія: NXP

Виробник:	NXP
Категорія товару:	RF Bipolar Transistors
Серія:	BFU530
Transistor Type:	Bipolar Wideband
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Operating Frequency:	11 GHz
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	12 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	2 V
Continuous Collector Current:	40 mA
Мінімальна робоча температура:	- 40 C
Максимальна робоча температура:	+ 150 C
Configuration:	Single
Стиль монтажу:	SMD/SMT
Пакет / футляр:	SOT-143B-4
Пакування:	Котушка.
Пакування:	Розрізати стрічку
Бренд:	NXP Semiconductors
Maximum DC Collector Current:	65 мА
Output Power:	10 dBm
Pd – Power Dissipation:	450 mW
Тип товару:	RF Bipolar Transistors
Кількість в заводській упаковці:	10000
Підкатегорія:	Transistors
Частина # Псевдоніми:	934067703235
Одиниця ваги:	0.000314 oz