|
Виробник: |
NXP |
| Категорія товару: | RF MOSFET Transistors |
|
Technology: |
GaN Si |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
|
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
|
Gain: |
14.1 dB |
|
Output Power: |
18 W |
|
Мінімальна робоча температура: |
– 55 C |
|
Максимальна робоча температура: |
+ 150 C |
|
Стиль монтажу: |
SMD/SMT |
|
Пакет / футляр: |
DFN-10 |
|
Пакування: |
Котушка. |
|
Пакування: |
Розрізати стрічку |
| Бренд: | NXP Semiconductors |
| Кількість каналів: | 2 Channel |
| Тип товару: | RF MOSFET Transistors |
| Серія: | A5G35H120N |
| Кількість в заводській упаковці: | 2000 |
| Підкатегорія: | MOSFETs |
| Друкуй: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| Частина # Псевдоніми: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
Властивості продукту
|
Виробник: |
NXP |
|
Пакет / футляр: |
DFN-10 |
| Кількість каналів: | 2 Channel |
| Тип товару: | RF MOSFET Transistors |
| Серія: | A5G35H120N |
UK 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR
Відгуки
Відгуків немає, поки що.