NVH4L060N065SC1

Ürün Özellikleri

Üretici firma:	onsemi
Paket / Kasa:	TO-247-4
Kanal Sayısı:	1 Kanal
Seri:	NVH4L060N065SC1
Ürün Tipi:	MOSFET

Kategoriler: ONSEMI

Üretici firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	SiC
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg – Gate Charge:	74 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	– 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	176 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	EliteSiC
Seri:	NVH4L060N065SC1
Paketleme:	Tüp
Marka:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	12 S
Ürün Tipi:	MOSFET
Rise Time:	14 ns
Fabrika Paket Miktarı:	450
Alt kategori:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns

Daha Fazla Bilgi

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

NVH4L060N065SC1

Daha Fazla Bilgi

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Değerlendirmeler

“NVH4L060N065SC1” için yorum yapan ilk kişi siz olun Yanıtı iptal et

İlgili ürünler

Giriş