NVBLS0D5N04CTXG

Ürün Özellikleri

Üretici firma:
 onsemi
Paket / Kasa:
 TO-LL8-8
Kanal Sayısı:
 1 Kanal
Seri:
 NVBLS0D5N04C
Ürün Tipi: MOSFET

 

Kategoriler:
Üretici firma:
 onsemi
Ürün Kategorisi: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Montaj Stili:
 SMD/SMT
Paket / Kasa:
 TO-LL8-8
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanal Sayısı:
 1 Kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 40 V
Id – Continuous Drain Current:
 300 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 570 uOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 185 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:
 – 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 198.4 W
Channel Mode:
 Enhancement
Seri:
 NVBLS0D5N04C
Paketleme:
 Makara
Paketleme:
 Kesilmiş Bant
Paketleme:
 MouseReel
Marka: onsemi
Ürün Tipi: MOSFET
Fabrika Paket Miktarı: 2000
Alt kategori: MOSFETs

Automotive Power MOSFETs

onsemi  Power MOSFETs feature low RDS(on) to minimize conduction losses and low Qg/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“NVBLS0D5N04CTXG” için yorum yapan ilk kişi siz olun

İlgili ürünler

Hızlı Görünüm

LM2904DMR2G

Hızlı Görünüm

SA572DR2G

Hızlı Görünüm

NE521DR2G

Hızlı Görünüm

NCS213RSQT2G

Hızlı Görünüm

NCV20061SQ3T2G

Hızlı Görünüm

NCS21911SN2T1G

Hızlı Görünüm

NCV2904DMR2G

Hızlı Görünüm

NCS20032DR2G

tr_TRTR
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV ukUK tr_TRTR