NTHL019N65S3H

Ürün Özellikleri

Üretici firma:
 onsemi
Paket / Kasa:
 TO-247-3
Kanal Sayısı:
 1 Kanal
Seri:
 NTHL019N65S3H
Ürün Tipi: MOSFET

 

Kategoriler:
Üretici firma:
 onsemi
Ürün Kategorisi: MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:
 Si
Montaj Stili:
 Through Hole
Paket / Kasa:
 TO-247-3
Transistor Polarity:
 N-Channel
Kanal Sayısı:
 1 Kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 75 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 19.3 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 282 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:
 – 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 625 W
Channel Mode:
 Enhancement
Seri:
 NTHL019N65S3H
Paketleme:
 Tüp
Marka: onsemi
Ürün Tipi: MOSFET
Fabrika Paket Miktarı: 450
Alt kategori: MOSFETs

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“NTHL019N65S3H” için yorum yapan ilk kişi siz olun

İlgili ürünler

Hızlı Görünüm

NCS214RSQT2G

Hızlı Görünüm

NCV2902DTBR2G

Hızlı Görünüm

NCS20072DMR2G

Hızlı Görünüm

NE521DR2G

Hızlı Görünüm

TLV274DR2G

Hızlı Görünüm

NCV20072DR2G

Hızlı Görünüm

NCP2811ADTBR2G

Hızlı Görünüm

NCS21872DMR2G

tr_TRTR
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV ukUK tr_TRTR