MRF6V12500HR5

Ürün Özellikleri

Üretici firma:	NXP
Paket / Kasa:	NI-780H-2
Kanal Sayısı:	1 Kanal
Ürün Tipi:	RF MOSFET Transistors
Seri:	MRF6V12500H

Kategoriler: NXP

Üretici firma:	NXP
Ürün Kategorisi:	RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	110 V
Operating Frequency:	960 MHz to 1.215 MHz
Gain:	19.7 dB
Output Power:	500 W
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Montaj Stili:	Flange Mount
Paket / Kasa:	NI-780H-2
Paketleme:	Makara
Paketleme:	Kesilmiş Bant
Paketleme:	MouseReel
Marka:	NXP Semiconductors
Configuration:	Single
Kanal Sayısı:	1 Kanal
Ürün Tipi:	RF MOSFET Transistors
Seri:	MRF6V12500H
Fabrika Paket Miktarı:	50
Alt kategori:	MOSFETs
Tip:	RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage:	+ 10 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Parça # Takma Adlar:	935310167178
Birim Ağırlık:	0.226635 oz

Daha Fazla Bilgi

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

NXP’s MRF6V12500 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET is designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. Features include devices that are internally matched for ease of use, qualified up to a maximum of 50 V_DD operation, integrated ESD protection, and they have greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. This device is suitable for use in pulse applications.
Daha Fazla Bilgi

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

MRF6V12500HR5

Daha Fazla Bilgi

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

Değerlendirmeler

“MRF6V12500HR5” için yorum yapan ilk kişi siz olun Yanıtı iptal et

İlgili ürünler

Giriş