DN3525N8-G

Ürün Özellikleri

Üretici firma:	Microchip
Ürün Kategorisi:	MOSFET
Technology:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	– 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Paketleme:	Makara
Paketleme:	Kesilmiş Bant
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Yükseklik:	1.6 mm
Uzunluk:	4.6 mm
Product:	MOSFET Small Signals
Ürün Tipi:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Fabrika Paket Miktarı:	2000
Alt kategori:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Tip:	FET
Genişlik:	2.6 mm
Birim Ağırlık:	0.004233 oz

Henüz değerlendirme yapılmadı.