Üretici firma: |
Texas Instruments |
Ürün Kategorisi: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Montaj Stili: |
SMD/SMT |
Paket / Kasa: |
VSONP-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Kanal Sayısı: |
1 Kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
Id – Continuous Drain Current: |
15 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
61 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.2 V |
Qg – Gate Charge: |
4.3 nC |
Minimum Çalışma Sıcaklığı: |
– 55 C |
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
2.8 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
NexFET |
Seri: |
CSD19538Q3A |
Paketleme: |
Makara |
Paketleme: |
Kesilmiş Bant |
Paketleme: |
MouseReel |
Marka: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Yükseklik: | 0.9 mm |
Uzunluk: | 3.15 mm |
Ürün Tipi: | MOSFET |
Rise Time: | 3 ns |
Fabrika Paket Miktarı: | 250 |
Alt kategori: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Genişlik: | 3 mm |
Birim Ağırlık: | 0.000963 oz |
CSD19538Q3AT
Ürün Özellikleri
Üretici firma: |
Texas Instruments |
Paket / Kasa: |
VSONP-8 |
Kanal Sayısı: |
1 Kanal |
Seri: |
CSD19538Q3A |
Ürün Tipi: | MOSFET |
Değerlendirmeler
Henüz değerlendirme yapılmadı.