|
Üretici firma: |
NXP |
| Ürün Kategorisi: | RF MOSFET Transistors |
|
Technology: |
GaN Si |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
|
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
|
Gain: |
14.1 dB |
|
Output Power: |
18 W |
|
Minimum Çalışma Sıcaklığı: |
– 55 C |
|
Maksimum Çalışma Sıcaklığı: |
+ 150 C |
|
Montaj Stili: |
SMD/SMT |
|
Paket / Kasa: |
DFN-10 |
|
Paketleme: |
Makara |
|
Paketleme: |
Kesilmiş Bant |
| Marka: | NXP Semiconductors |
| Kanal Sayısı: | 2 Channel |
| Ürün Tipi: | RF MOSFET Transistors |
| Seri: | A5G35H120N |
| Fabrika Paket Miktarı: | 2000 |
| Alt kategori: | MOSFETs |
| Tip: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| Parça # Takma Adlar: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
Ürün Özellikleri
|
Üretici firma: |
NXP |
|
Paket / Kasa: |
DFN-10 |
| Kanal Sayısı: | 2 Channel |
| Ürün Tipi: | RF MOSFET Transistors |
| Seri: | A5G35H120N |
TR 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
UK
Değerlendirmeler
Henüz değerlendirme yapılmadı.