Tillverkare: |
onsemi |
Produktkategori: | MOSFET |
Teknologi: |
Si |
Monteringstyp: |
SMD/SMT |
Paket / Fodral: |
LFPAK-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Antal kanaler: |
1 kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
50 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
9.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
Qg – Gate Charge: |
9.5 nC |
Lägsta driftstemperatur: |
– 55 C |
Maximal driftstemperatur: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
46 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Serie: |
NVMYS9D3N06CL |
Förpackning: |
Reel |
Förpackning: |
Klippt tejp |
Varumärke: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Forward Transconductance – Min: | 37 S |
Produkttyp: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns |
Fabriksförpackning Kvantitet: | 3000 |
Underkategori: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
NVMYS9D3N06CLTWG
Produktens egenskaper
Tillverkare: |
onsemi |
Paket / Fodral: |
LFPAK-4 |
Antal kanaler: |
1 kanal |
Serie: |
NVMYS9D3N06CL |
Produkttyp: | MOSFET |
Recensioner
Det finns inga recensioner än.