DN3525N8-G

Produktens egenskaper

Tillverkare:	Microchip
Produktkategori:	MOSFET
Teknologi:	Si
Monteringstyp:	SMD/SMT
Paket / Fodral:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Antal kanaler:	1 kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Lägsta driftstemperatur:	– 55 C
Maximal driftstemperatur:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Klippt tejp
Förpackning:	MouseReel
Varumärke:	Mikrochipteknik
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Höjd:	1.6 mm
Längd:	4.6 mm
Produkt:	MOSFET Small Signals
Produkttyp:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Fabriksförpackning Kvantitet:	2000
Underkategori:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typ:	FET
Bredd:	2.6 mm
Enhetens vikt:	0.004233 oz

Det finns inga recensioner än.