|
Tillverkare: |
Texas instrument |
| Produktkategori: | MOSFET |
|
Teknologi: |
Si |
|
Monteringstyp: |
SMD/SMT |
|
Paket / Fodral: |
VSONP-8 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Antal kanaler: |
1 kanal |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
83 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.8 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.1 V |
|
Qg – Gate Charge: |
27 nC |
|
Lägsta driftstemperatur: |
– 55 C |
|
Maximal driftstemperatur: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
53 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Tradename: |
NexFET |
|
Serie: |
CSD17577Q3A |
|
Förpackning: |
Reel |
|
Förpackning: |
Klippt tejp |
|
Förpackning: |
MouseReel |
| Varumärke: | Texas instrument |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 76 S |
| Höjd: | 0.9 mm |
| Längd: | 3.15 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Rise Time: | 31 ns |
| Fabriksförpackning Kvantitet: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Bredd: | 3 mm |
| Enhetens vikt: | 0.000977 oz |
CSD17577Q3A
Produktens egenskaper
|
Tillverkare: |
Texas instrument |
|
Paket / Fodral: |
VSONP-8 |
|
Antal kanaler: |
1 kanal |
|
Serie: |
CSD17577Q3A |
| Produkttyp: | MOSFET |
SV 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
TR 
UK
Recensioner
Det finns inga recensioner än.