Tillverkare: |
NXP |
Produktkategori: | RF Bipolar Transistors |
Serie: |
BFU530 |
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
Teknologi: |
Si |
Transistor Polarity: |
NPN |
Operating Frequency: |
11 GHz |
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
Continuous Collector Current: |
40 mA |
Lägsta driftstemperatur: |
- 40 C |
Maximal driftstemperatur: |
+ 150 C |
Configuration: |
Single |
Monteringstyp: |
SMD/SMT |
Paket / Fodral: |
SOT-143B-4 |
Förpackning: |
Reel |
Förpackning: |
Klippt tejp |
Varumärke: | NXP Semiconductors |
Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
Output Power: | 10 dBm |
Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
Produkttyp: | RF Bipolar Transistors |
Fabriksförpackning Kvantitet: | 10000 |
Underkategori: | Transistors |
Del # Aliaser: | 934067703235 |
Enhetens vikt: | 0.000314 oz |
BFU530VL
Produktens egenskaper
Tillverkare: |
NXP |
Serie: |
BFU530 |
Paket / Fodral: |
SOT-143B-4 |
Produkttyp: | RF Bipolar Transistors |
Recensioner
Det finns inga recensioner än.