Tillverkare: |
NXP |
Produktkategori: | RF MOSFET Transistors |
Teknologi: |
GaN Si |
Id – Continuous Drain Current: |
12 mA |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 4.3 GHz |
Gain: |
16.9 dB |
Output Power: |
24.5 dBm |
Lägsta driftstemperatur: |
– 55 C |
Maximal driftstemperatur: |
+ 150 C |
Monteringstyp: |
SMD/SMT |
Paket / Fodral: |
DFN-6 |
Förpackning: |
Reel |
Förpackning: |
Klippt tejp |
Varumärke: | NXP Semiconductors |
Antal kanaler: | 1 kanal |
Produkttyp: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A5G35S004N |
Fabriksförpackning Kvantitet: | 5000 |
Underkategori: | MOSFETs |
Typ: | RF Power MOSFET |
Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.5 V |
Del # Aliaser: | 935417637528 |
A5G35S004NT6
Produktens egenskaper
Tillverkare: |
NXP |
Paket / Fodral: |
DFN-6 |
Antal kanaler: | 1 kanal |
Produkttyp: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A5G35S004N |
Recensioner
Det finns inga recensioner än.