Tillverkare: |
NXP |
Produktkategori: | RF MOSFET Transistors |
Teknologi: |
GaN Si |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
100 MHz to 2.69 GHz |
Gain: |
18 dB |
Output Power: |
8 W |
Lägsta driftstemperatur: |
– 55 C |
Maximal driftstemperatur: |
+ 150 C |
Monteringstyp: |
SMD/SMT |
Paket / Fodral: |
DFN-6 |
Förpackning: |
Reel |
Förpackning: |
Klippt tejp |
Varumärke: | NXP Semiconductors |
Antal kanaler: | 2 Channel |
Produkttyp: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A3G26D055 |
Fabriksförpackning Kvantitet: | 2500 |
Underkategori: | MOSFETs |
Typ: | RF Power MOSFET |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.7 V |
Del # Aliaser: | 935402445528 |
A3G26D055NT4
Produktens egenskaper
Tillverkare: |
NXP |
Paket / Fodral: |
DFN-6 |
Antal kanaler: | 2 Channel |
Produkttyp: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A3G26D055 |
Recensioner
Det finns inga recensioner än.