Производитель: |
onsemi |
Категория продукта: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Стиль крепления: |
SMD/SMT |
Упаковка / футляр: |
LFPAK-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Количество каналов: |
1 канал |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
50 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
9.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
Qg – Gate Charge: |
9.5 nC |
Минимальная рабочая температура: |
– 55 C |
Максимальная рабочая температура: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
46 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Серия: |
NVMYS9D3N06CL |
Упаковка: |
Катушка |
Упаковка: |
Разрезанная лента |
Бренд: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Forward Transconductance – Min: | 37 S |
Тип продукта: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns |
Заводская упаковка Количество: | 3000 |
Подкатегория: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
NVMYS9D3N06CLTWG
Свойства продукта
Производитель: |
onsemi |
Упаковка / футляр: |
LFPAK-4 |
Количество каналов: |
1 канал |
Серия: |
NVMYS9D3N06CL |
Тип продукта: | MOSFET |
Отзывы
Отзывов пока нет.