NVMJST1D4N06CLTXG

Свойства продукта

Производитель:
 onsemi
Упаковка / футляр:
 TCPAK57
Количество каналов:
 1 канал
Серия:
 NVMJST1D4N06CL
Тип продукта: MOSFET

 

Категория:
Производитель:
 onsemi
Категория продукта: MOSFET
Стиль крепления:
 SMD/SMT
Упаковка / футляр:
 TCPAK57
Transistor Polarity:
 N-Channel
Количество каналов:
 1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 60 V
Id – Continuous Drain Current:
 198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2 V
Qg – Gate Charge:
 92.2 nC
Минимальная рабочая температура:
 – 55 C
Максимальная рабочая температура:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 113 W
Channel Mode:
 Enhancement
Серия:
 NVMJST1D4N06CL
Бренд: onsemi
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 217 S
Тип продукта: MOSFET
Rise Time: 25 ns
Заводская упаковка Количество: 3000
Подкатегория: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “NVMJST1D4N06CLTXG”

Похожие товары

Быстрый просмотр

NCS20032DR2G

Быстрый просмотр

NCS20091MUTAG

Быстрый просмотр

NCV20072DR2G

Быстрый просмотр

NE521DR2G

Быстрый просмотр

TLV274DR2G

Быстрый просмотр

NCV20072DTBR2G

Быстрый просмотр

NCS21912DMR2G

Быстрый просмотр

LM2901DTBR2G

ru_RURU
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK ru_RURU