NVMFS9D6P04M8LT1G

Свойства продукта

Категория: ONSEMI

Производитель:	onsemi
Категория продукта:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
Стиль крепления:	SMD/SMT
Упаковка / футляр:	SO-8FL
Transistor Polarity:	P-Channel
Количество каналов:	1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id – Continuous Drain Current:	77 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	9.5 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Qg – Gate Charge:	15.05 nC
Минимальная рабочая температура:	– 55 C
Максимальная рабочая температура:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	75 W
Channel Mode:	Enhancement
Серия:	NVMFS9D6P04M8L
Упаковка:	Катушка
Упаковка:	Разрезанная лента
Бренд:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	63 ns
Forward Transconductance – Min:	36 S
Тип продукта:	MOSFET
Rise Time:	103 ns
Заводская упаковка Количество:	1500
Подкатегория:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	83.3 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.1 ns

Отзывов пока нет.