NVH4L060N065SC1

Свойства продукта

Производитель:	onsemi
Упаковка / футляр:	TO-247-4
Количество каналов:	1 канал
Серия:	NVH4L060N065SC1
Тип продукта:	MOSFET

Отправить запрос

Категория: ONSEMI

Описание
Отзывы (0)

Производитель:	onsemi
Категория продукта:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	SiC
Стиль крепления:	Through Hole
Упаковка / футляр:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Количество каналов:	1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg – Gate Charge:	74 nC
Минимальная рабочая температура:	– 55 C
Максимальная рабочая температура:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	176 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	EliteSiC
Серия:	NVH4L060N065SC1
Упаковка:	Трубка
Бренд:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	12 S
Тип продукта:	MOSFET
Rise Time:	14 ns
Заводская упаковка Количество:	450
Подкатегория:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns

Дополнительная информация

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Отзывы

Отзывов пока нет.

NVH4L060N065SC1

Дополнительная информация

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Отзывы

Будьте первым, кто оставил отзыв на “NVH4L060N065SC1” Отменить ответ

Похожие товары

Вход в систему