Производитель: |
onsemi |
Категория продукта: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
Стиль крепления: |
Through Hole |
Упаковка / футляр: |
TO-247-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Количество каналов: |
1 канал |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
75 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
19.3 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4 V |
Qg – Gate Charge: |
282 nC |
Минимальная рабочая температура: |
– 55 C |
Максимальная рабочая температура: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
625 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Серия: |
NTHL019N65S3H |
Упаковка: |
Трубка |
Бренд: | onsemi |
Тип продукта: | MOSFET |
Заводская упаковка Количество: | 450 |
Подкатегория: | MOSFETs |
NTHL019N65S3H
Свойства продукта
Производитель: |
onsemi |
Упаковка / футляр: |
TO-247-3 |
Количество каналов: |
1 канал |
Серия: |
NTHL019N65S3H |
Тип продукта: | MOSFET |
Отзывы
Отзывов пока нет.