Производитель: |
NXP |
Категория продукта: | RF Bipolar Transistors |
Серия: |
BFU530 |
Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
Technology: |
Si |
Transistor Polarity: |
NPN |
Operating Frequency: |
11 GHz |
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
Continuous Collector Current: |
40 mA |
Минимальная рабочая температура: |
- 40 C |
Максимальная рабочая температура: |
+ 150 C |
Configuration: |
Single |
Стиль крепления: |
SMD/SMT |
Упаковка / футляр: |
SOT-143B-4 |
Упаковка: |
Катушка |
Упаковка: |
Разрезанная лента |
Бренд: | NXP Semiconductors |
Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
Output Power: | 10 dBm |
Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
Тип продукта: | RF Bipolar Transistors |
Заводская упаковка Количество: | 10000 |
Подкатегория: | Transistors |
Часть # Псевдонимы: | 934067703235 |
Вес устройства: | 0.000314 oz |
BFU530VL
Свойства продукта
Производитель: |
NXP |
Серия: |
BFU530 |
Упаковка / футляр: |
SOT-143B-4 |
Тип продукта: | RF Bipolar Transistors |
Отзывы
Отзывов пока нет.