DN2625DK6-G

Свойства продукта

Категория: MICROCHIP

Производитель:	Microchip
Категория продукта:	MOSFET
Technology:	Si
Стиль крепления:	SMD/SMT
Упаковка / футляр:	DFN-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Количество каналов:	2 Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	1.1 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	3.5 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.1 V
Qg – Gate Charge:	7.04 nC
Минимальная рабочая температура:	– 55 C
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Depletion
Упаковка:	Tray
Бренд:	Microchip Technology
Configuration:	Dual
Fall Time:	20 ns
Чувствительны к влаге:	Да
Продукт:	MOSFET Small Signals
Тип продукта:	MOSFET
Rise Time:	20 ns
Заводская упаковка Количество:	490
Подкатегория:	MOSFETs
Transistor Type:	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	10 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Вес устройства:	0.005686 oz

Отзывов пока нет.