Производитель: |
Microchip |
Категория продукта: | Discrete Semiconductor Modules |
Продукт: |
Power MOSFET Modules |
Technology: |
SiC |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
Стиль крепления: |
Screw Mount |
Упаковка / футляр: |
TO-247-3 |
Минимальная рабочая температура: |
– 55 C |
Максимальная рабочая температура: |
+ 175 C |
Упаковка: |
Трубка |
Бренд: | Microchip Technology |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 18 ns |
Id – Continuous Drain Current: | 113 A |
Количество каналов: | 1 канал |
Pd – Power Dissipation: | 455 W |
Тип продукта: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On – Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
Rise Time: | 13 ns |
Заводская упаковка Количество: | 30 |
Подкатегория: | Discrete Semiconductor Modules |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
MSC017SMA120B
Свойства продукта
Производитель: |
Microchip |
Продукт: |
Power MOSFET Modules |
Упаковка / футляр: |
TO-247-3 |
Количество каналов: | 1 канал |
Тип продукта: | Discrete Semiconductor Modules |
Отзывы
Отзывов пока нет.