NTMFS4C324NT1G

Свойства продукта

Категория: ONSEMI

Производитель:	onsemi
Категория продукта:	MOSFET
Стиль крепления:	SMD/SMT
Упаковка / футляр:	SO-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Количество каналов:	1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Id – Continuous Drain Current:	136 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.7 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.2 V
Qg – Gate Charge:	20.8 nC
Минимальная рабочая температура:	– 55 C
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	64 W
Channel Mode:	Enhancement
Бренд:	onsemi
Configuration:	SIngle
Fall Time:	17 ns
Forward Transconductance – Min:	136 S
Тип продукта:	MOSFET
Rise Time:	32 ns
Заводская упаковка Количество:	1500
Подкатегория:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	27 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns

Отзывов пока нет.