TN5335K1-G

Właściwości produktu

Producent:	Microchip
Kategoria produktu:	MOSFET
Technologia:	Si
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	350 V
Id – Continuous Drain Current:	110 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	15 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	600 mV
Qg – Gate Charge:	–
Minimalna temperatura pracy:	– 55 C
Maksymalna temperatura pracy:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	360 mW
Channel Mode:	Enhancement
Opakowanie:	Kołowrotek
Opakowanie:	Taśma cięta
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	25 ns
Forward Transconductance – Min:	125 mS
Wysokość:	0,95 mm
Długość:	2.9 mm
Produkt:	MOSFET Small Signals
Typ produktu:	MOSFET
Rise Time:	15 ns
Ilość w opakowaniu fabrycznym:	3000
Podkategoria:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typ:	FET
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Szerokość:	1.3 mm
Waga jednostki:	0.000282 oz

Na razie nie ma opinii o produkcie.