Producent: |
STMicroelectronics |
Kategoria produktu: | MOSFET |
Technologia: |
GaN |
Styl montażu: |
SMD/SMT |
Opakowanie / etui: |
PowerFLAT-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Liczba kanałów: |
1 Kanał |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
15 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
120 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 6 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.6 V |
Qg – Gate Charge: |
3 nC |
Minimalna temperatura pracy: |
– 55 C |
Maksymalna temperatura pracy: |
+ 155 C |
Pd – Power Dissipation: |
192 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Opakowanie: |
Kołowrotek |
Opakowanie: |
Taśma cięta |
Opakowanie: |
MouseReel |
Marka: | STMicroelectronics |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 9.7 ns |
Wrażliwy na wilgoć: | Tak |
Typ produktu: | MOSFET |
Rise Time: | 6 ns |
Ilość w opakowaniu fabrycznym: | 3000 |
Podkategoria: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 8.9 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
Waga jednostki: | 0.002681 oz |
SGT120R65AL
Właściwości produktu
Producent: |
STMicroelectronics |
Opakowanie / etui: |
PowerFLAT-8 |
Liczba kanałów: |
1 Kanał |
Typ produktu: | MOSFET |
Opinie
Na razie nie ma opinii o produkcie.