Producent: |
onsemi |
Kategoria produktu: | MOSFET |
Technologia: |
Si |
Styl montażu: |
SMD/SMT |
Opakowanie / etui: |
LFPAK-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Liczba kanałów: |
1 Kanał |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
50 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
9.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
Qg – Gate Charge: |
9.5 nC |
Minimalna temperatura pracy: |
– 55 C |
Maksymalna temperatura pracy: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
46 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Seria: |
NVMYS9D3N06CL |
Opakowanie: |
Kołowrotek |
Opakowanie: |
Taśma cięta |
Marka: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Forward Transconductance – Min: | 37 S |
Typ produktu: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns |
Ilość w opakowaniu fabrycznym: | 3000 |
Podkategoria: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
NVMYS9D3N06CLTWG
Właściwości produktu
Producent: |
onsemi |
Opakowanie / etui: |
LFPAK-4 |
Liczba kanałów: |
1 Kanał |
Seria: |
NVMYS9D3N06CL |
Typ produktu: | MOSFET |
Opinie
Na razie nie ma opinii o produkcie.