NVMJST1D4N06CLTXG

Właściwości produktu

Producent:	onsemi
Opakowanie / etui:	TCPAK57
Liczba kanałów:	1 Kanał
Seria:	NVMJST1D4N06CL
Typ produktu:	MOSFET

Kategoria: ONSEMI

Producent:	onsemi
Kategoria produktu:	MOSFET
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	TCPAK57
Transistor Polarity:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id – Continuous Drain Current:	198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg – Gate Charge:	92.2 nC
Minimalna temperatura pracy:	– 55 C
Maksymalna temperatura pracy:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	113 W
Channel Mode:	Enhancement
Seria:	NVMJST1D4N06CL
Marka:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	217 S
Typ produktu:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Ilość w opakowaniu fabrycznym:	3000
Podkategoria:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	60 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns

Więcej informacji

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Opinie

Na razie nie ma opinii o produkcie.

NVMJST1D4N06CLTXG

Więcej informacji

Single N-Channel Power MOSFETs

Opinie

Napisz pierwszą opinię o „NVMJST1D4N06CLTXG” Anuluj pisanie odpowiedzi

Podobne produkty

Logowanie