NVH4L060N065SC1

Właściwości produktu

Producent:	onsemi
Opakowanie / etui:	TO-247-4
Liczba kanałów:	1 Kanał
Seria:	NVH4L060N065SC1
Typ produktu:	MOSFET

Kategoria: ONSEMI

Producent:	onsemi
Kategoria produktu:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technologia:	SiC
Styl montażu:	Przez otwór
Opakowanie / etui:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg – Gate Charge:	74 nC
Minimalna temperatura pracy:	– 55 C
Maksymalna temperatura pracy:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	176 W
Channel Mode:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Seria:	NVH4L060N065SC1
Opakowanie:	Rura
Marka:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	12 S
Typ produktu:	MOSFET
Rise Time:	14 ns
Ilość w opakowaniu fabrycznym:	450
Podkategoria:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns

Więcej informacji

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Opinie

Na razie nie ma opinii o produkcie.

NVH4L060N065SC1

Więcej informacji

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Opinie

Napisz pierwszą opinię o „NVH4L060N065SC1” Anuluj pisanie odpowiedzi

Podobne produkty

Logowanie