NVBLS0D5N04CTXG

Właściwości produktu

Producent:	onsemi
Opakowanie / etui:	TO-LL8-8
Liczba kanałów:	1 Kanał
Seria:	NVBLS0D5N04C
Typ produktu:	MOSFET

Kategoria: ONSEMI

Producent:	onsemi
Kategoria produktu:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technologia:	Si
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	TO-LL8-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id – Continuous Drain Current:	300 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	570 uOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg – Gate Charge:	185 nC
Minimalna temperatura pracy:	– 55 C
Maksymalna temperatura pracy:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	198.4 W
Channel Mode:	Enhancement
Seria:	NVBLS0D5N04C
Opakowanie:	Kołowrotek
Opakowanie:	Taśma cięta
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Typ produktu:	MOSFET
Ilość w opakowaniu fabrycznym:	2000
Podkategoria:	MOSFETs

Więcej informacji

Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

Opinie

Na razie nie ma opinii o produkcie.

NVBLS0D5N04CTXG

Więcej informacji

Automotive Power MOSFETs

Opinie

Napisz pierwszą opinię o „NVBLS0D5N04CTXG” Anuluj pisanie odpowiedzi

Podobne produkty

Logowanie