NTMFS3D6N10MCLT1G

Właściwości produktu

Producent:
 onsemi
Opakowanie / etui:
 SO-8FL-4
Liczba kanałów:
 1 Kanał
Seria:
 NTMFS3D6N10MCL
Typ produktu: MOSFET

 

Kategoria:
Producent:
 onsemi
Kategoria produktu: MOSFET
REACH – SVHC:
Technologia:
 Si
Styl montażu:
 SMD/SMT
Opakowanie / etui:
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Liczba kanałów:
 1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 100 V
Id – Continuous Drain Current:
 131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 3 V
Qg – Gate Charge:
 60 nC
Minimalna temperatura pracy:
 – 55 C
Maksymalna temperatura pracy:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 136 W
Channel Mode:
 Enhancement
Seria:
 NTMFS3D6N10MCL
Opakowanie:
 Kołowrotek
Opakowanie:
 Taśma cięta
Opakowanie:
 MouseReel
Marka: onsemi
Typ produktu: MOSFET
Ilość w opakowaniu fabrycznym: 1500
Podkategoria: MOSFETs

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

Opinie

Na razie nie ma opinii o produkcie.

Napisz pierwszą opinię o „NTMFS3D6N10MCLT1G”

Podobne produkty

Szybki podgląd

FAN3852UC16X

Szybki podgląd

NCV20074DTBR2G

Szybki podgląd

NCS2252SN2T1G

Szybki podgląd

TLV274DTBR2G

Szybki podgląd

NCS21912DMR2G

Szybki podgląd

NCS214RSQT2G

Szybki podgląd

MC33172DR2G

Szybki podgląd

LMV331SQ3T2G

pl_PLPL
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK pl_PLPL