NTHL019N65S3H

Właściwości produktu

Producent:
 onsemi
Opakowanie / etui:
 TO-247-3
Liczba kanałów:
 1 Kanał
Seria:
 NTHL019N65S3H
Typ produktu: MOSFET

 

Kategoria:
Producent:
 onsemi
Kategoria produktu: MOSFET
REACH – SVHC:
Technologia:
 Si
Styl montażu:
 Przez otwór
Opakowanie / etui:
 TO-247-3
Transistor Polarity:
 N-Channel
Liczba kanałów:
 1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 650 V
Id – Continuous Drain Current:
 75 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 19.3 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 4 V
Qg – Gate Charge:
 282 nC
Minimalna temperatura pracy:
 – 55 C
Maksymalna temperatura pracy:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 625 W
Channel Mode:
 Enhancement
Seria:
 NTHL019N65S3H
Opakowanie:
 Rura
Marka: onsemi
Typ produktu: MOSFET
Ilość w opakowaniu fabrycznym: 450
Podkategoria: MOSFETs

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Opinie

Na razie nie ma opinii o produkcie.

Napisz pierwszą opinię o „NTHL019N65S3H”

Podobne produkty

Szybki podgląd

MC33172DR2G

Szybki podgląd

NCV20074DTBR2G

Szybki podgląd

NCP2811ADTBR2G

Szybki podgląd

LMV331SQ3T2G

Szybki podgląd

NCS20091MUTAG

Szybki podgląd

NCS21911SN2T1G

Szybki podgląd

NE521DR2G

Szybki podgląd

NCS2252SN2T1G

pl_PLPL
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK pl_PLPL