DN3525N8-G

Właściwości produktu

Producent:	Microchip
Kategoria produktu:	MOSFET
Technologia:	Si
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Kanał
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimalna temperatura pracy:	– 55 C
Maksymalna temperatura pracy:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Opakowanie:	Kołowrotek
Opakowanie:	Taśma cięta
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Wysokość:	1.6 mm
Długość:	4.6 mm
Produkt:	MOSFET Small Signals
Typ produktu:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Ilość w opakowaniu fabrycznym:	2000
Podkategoria:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typ:	FET
Szerokość:	2.6 mm
Waga jednostki:	0.004233 oz

Na razie nie ma opinii o produkcie.