Producent: |
Texas Instruments |
Kategoria produktu: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technologia: |
Si |
Styl montażu: |
Przez otwór |
Opakowanie / etui: |
TO-220-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Liczba kanałów: |
1 Kanał |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
Minimalna temperatura pracy: |
– 55 C |
Maksymalna temperatura pracy: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
250 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Nazwa handlowa: |
NexFET |
Seria: |
CSD18532KCS |
Opakowanie: |
Rura |
Marka: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 5.6 ns |
Forward Transconductance – Min: | 187 S |
Wysokość: | 16.51 mm |
Długość: | 10.67 mm |
Typ produktu: | MOSFET |
Rise Time: | 5.3 ns |
Ilość w opakowaniu fabrycznym: | 50 |
Podkategoria: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
Szerokość: | 4.7 mm |
Waga jednostki: | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
Właściwości produktu
Producent: |
Texas Instruments |
Opakowanie / etui: |
TO-220-3 |
Liczba kanałów: |
1 Kanał |
Seria: |
CSD18532KCS |
Typ produktu: | MOSFET |
Opinie
Na razie nie ma opinii o produkcie.