|
Producent: |
Analog Devices Inc. |
| Kategoria produktu: | RF Bipolar Transistors |
|
Seria: |
MAX2601 |
|
Transistor Type: |
Bipolar Power |
|
Technologia: |
Si |
|
Transistor Polarity: |
NPN |
|
Operating Frequency: |
900 MHz |
|
DC Collector/Base Gain hfe Min: |
100 |
|
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
17 V |
|
Emitter- Base Voltage VEBO: |
2.3 V |
|
Continuous Collector Current: |
200 mA |
|
Minimalna temperatura pracy: |
- 40 C |
|
Maksymalna temperatura pracy: |
+ 85 C |
|
Configuration: |
Single |
|
Styl montażu: |
SMD/SMT |
|
Opakowanie / etui: |
SOIC-8 |
|
Opakowanie: |
Rura |
| Marka: | Analog Devices / Maxim Integrated |
| Wysokość: | 1.58 mm |
| Długość: | 4.98 mm |
| Maximum DC Collector Current: | 1.2 A |
| Operating Temperature Range: | – 40 C to + 85 C |
| Output Power: | 1 W |
| Pd – Power Dissipation: | 6.4 W |
| Typ produktu: | RF Bipolar Transistors |
| Ilość w opakowaniu fabrycznym: | 100 |
| Podkategoria: | Transistors |
| Typ: | RF Bipolar Power |
| Szerokość: | 3.99 mm |
| Część # Aliasy: | MAX2601 |
| Waga jednostki: | 0.019048 oz |
MAX2601ESA+
Właściwości produktu
|
Producent: |
Analog Devices Inc. |
|
Seria: |
MAX2601 |
|
Opakowanie / etui: |
SOIC-8 |
| Typ produktu: | RF Bipolar Transistors |
PL 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Opinie
Na razie nie ma opinii o produkcie.