DN3525N8-G

Producteigenschappen

Fabrikant:	Microchip
Productcategorie:	MOSFET
Technology:	Si
Montagestijl:	SMD/SMT
Verpakking/hoes:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Aantal kanalen:	1 Kanaal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimale bedrijfstemperatuur:	– 55 C
Maximale bedrijfstemperatuur:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Verpakking:	Haspel
Verpakking:	Snijband
Verpakking:	MouseReel
Merk:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Hoogte:	1,6 mm
Lengte:	4.6 mm
Product:	MOSFET Small Signals
Type product:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Hoeveelheid fabrieksverpakking:	2000
Subcategorie:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	FET
Breedte:	2.6 mm
Gewicht per eenheid:	0.004233 oz

Er zijn nog geen beoordelingen.