Fabrikant: |
Texas Instrumenten |
Productcategorie: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Montagestijl: |
SMD/SMT |
Verpakking/hoes: |
VSONP-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Aantal kanalen: |
1 Kanaal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
Id – Continuous Drain Current: |
15 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
61 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.2 V |
Qg – Gate Charge: |
4.3 nC |
Minimale bedrijfstemperatuur: |
– 55 C |
Maximale bedrijfstemperatuur: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
2.8 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Handelsnaam: |
NexFET |
Serie: |
CSD19538Q3A |
Verpakking: |
Haspel |
Verpakking: |
Snijband |
Verpakking: |
MouseReel |
Merk: | Texas Instrumenten |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Hoogte: | 0.9 mm |
Lengte: | 3.15 mm |
Type product: | MOSFET |
Rise Time: | 3 ns |
Hoeveelheid fabrieksverpakking: | 250 |
Subcategorie: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Breedte: | 3 mm |
Gewicht per eenheid: | 0.000963 oz |
CSD19538Q3AT
Producteigenschappen
Fabrikant: |
Texas Instrumenten |
Verpakking/hoes: |
VSONP-8 |
Aantal kanalen: |
1 Kanaal |
Serie: |
CSD19538Q3A |
Type product: | MOSFET |
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.