Produsent: |
STMicroelectronics |
Produktkategori: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Monteringsstil: |
Gjennom hull |
Pakke/etui: |
TO-247-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Antall kanaler: |
1 Kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
54 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
45 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.2 V |
Qg – Gate Charge: |
80 nC |
Minimum driftstemperatur: |
– 55 C |
Maksimal driftstemperatur: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
312 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Serie: |
MDmesh M9 |
Emballasje: |
Rør |
Merkevare: | STMicroelectronics |
Konfigurasjon: | Enkelt |
Fall Time: | 4 ns |
Produkttype: | MOSFET |
Rise Time: | 26 ns |
Fabrikkpakke Antall: | 30 |
Underkategori: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Enhetsvekt: | 0.215171 oz |
STWA65N045M9
Produktegenskaper
Produsent: |
STMicroelectronics |
Pakke/etui: |
TO-247-3 |
Antall kanaler: |
1 Kanal |
Serie: |
MDmesh M9 |
Produkttype: | MOSFET |
Omtaler
Det er ingen omtaler ennå.