MRF6V12500HR5

Produktegenskaper

Produsent:	NXP
Pakke/etui:	NI-780H-2
Antall kanaler:	1 Kanal
Produkttype:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF6V12500H

Kategori: NXP

Produsent:	NXP
Produktkategori:	RF MOSFET Transistors
Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	110 V
Operating Frequency:	960 MHz to 1.215 MHz
Gain:	19.7 dB
Output Power:	500 W
Maksimal driftstemperatur:	+ 150 C
Monteringsstil:	Flange Mount
Pakke/etui:	NI-780H-2
Emballasje:	Spole
Emballasje:	Klipp av tape
Emballasje:	MouseReel
Merkevare:	NXP Semiconductors
Konfigurasjon:	Enkelt
Antall kanaler:	1 Kanal
Produkttype:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF6V12500H
Fabrikkpakke Antall:	50
Underkategori:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs – Gate-Source Voltage:	+ 10 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Del # Aliaser:	935310167178
Enhetsvekt:	0.226635 oz

Mer informasjon

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

NXP’s MRF6V12500 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET is designed for applications operating at frequencies between 960 and 1215 MHz. Features include devices that are internally matched for ease of use, qualified up to a maximum of 50 V_DD operation, integrated ESD protection, and they have greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. This device is suitable for use in pulse applications.
Lær mer

Omtaler

Det er ingen omtaler ennå.

MRF6V12500HR5

Mer informasjon

MRF6V12500 Pulse Lateral N-Ch RF Power MOSFET

Omtaler

Bli den første til å omtale “MRF6V12500HR5” Avbryt svar

Relaterte produkter

Logg inn