|
Produsent: |
NXP |
| Produktkategori: | RF MOSFET Transistors |
| REACH – SVHC: | |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Technology: |
Si |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
|
Operating Frequency: |
960 MHz to 1.4 GHz |
|
Gain: |
25 dB |
|
Output Power: |
10 W |
|
Minimum driftstemperatur: |
– 65 C |
|
Maksimal driftstemperatur: |
+ 150 C |
|
Monteringsstil: |
Flange Mount |
|
Pakke/etui: |
PLD-1.5 |
|
Emballasje: |
Spole |
|
Emballasje: |
Klipp av tape |
|
Emballasje: |
MouseReel |
| Merkevare: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Konfigurasjon: | Single Dual Source |
| Høyde: | 1.83 mm |
| Lengde: | 6.73 mm |
| Fuktfølsom: | Ja |
| Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | MRF6V10010N |
| Fabrikkpakke Antall: | 100 |
| Underkategori: | MOSFETs |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Bredde: | 5.97 mm |
| Del # Aliaser: | 935321297531 |
| Enhetsvekt: | 0.009877 oz |
MRF6V10010NR4
Produktegenskaper
|
Produsent: |
NXP |
|
Pakke/etui: |
PLD-1.5 |
| Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | MRF6V10010N |
NB 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Omtaler
Det er ingen omtaler ennå.