Produsent: |
NXP |
Produktkategori: | RF MOSFET Transistors |
Technology: |
GaN Si |
Id – Continuous Drain Current: |
12 mA |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 4.3 GHz |
Gain: |
16.9 dB |
Output Power: |
24.5 dBm |
Minimum driftstemperatur: |
– 55 C |
Maksimal driftstemperatur: |
+ 150 C |
Monteringsstil: |
SMD/SMT |
Pakke/etui: |
DFN-6 |
Emballasje: |
Spole |
Emballasje: |
Klipp av tape |
Merkevare: | NXP Semiconductors |
Antall kanaler: | 1 Kanal |
Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A5G35S004N |
Fabrikkpakke Antall: | 5000 |
Underkategori: | MOSFETs |
Type: | RF Power MOSFET |
Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.5 V |
Del # Aliaser: | 935417637528 |
A5G35S004NT6
Produktegenskaper
Produsent: |
NXP |
Pakke/etui: |
DFN-6 |
Antall kanaler: | 1 Kanal |
Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A5G35S004N |
Omtaler
Det er ingen omtaler ennå.