|
Produsent: |
NXP |
| Produktkategori: | RF MOSFET Transistors |
|
Technology: |
GaN Si |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
|
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
|
Gain: |
14.1 dB |
|
Output Power: |
18 W |
|
Minimum driftstemperatur: |
– 55 C |
|
Maksimal driftstemperatur: |
+ 150 C |
|
Monteringsstil: |
SMD/SMT |
|
Pakke/etui: |
DFN-10 |
|
Emballasje: |
Spole |
|
Emballasje: |
Klipp av tape |
| Merkevare: | NXP Semiconductors |
| Antall kanaler: | 2 kanal |
| Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | A5G35H120N |
| Fabrikkpakke Antall: | 2000 |
| Underkategori: | MOSFETs |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| Del # Aliaser: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
Produktegenskaper
|
Produsent: |
NXP |
|
Pakke/etui: |
DFN-10 |
| Antall kanaler: | 2 kanal |
| Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | A5G35H120N |
NB 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Omtaler
Det er ingen omtaler ennå.