TN5335K1-G

Produktegenskaper

Produsent:	Microchip
Produktkategori:	MOSFET
Technology:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Pakke/etui:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Antall kanaler:	1 Kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	350 V
Id – Continuous Drain Current:	110 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	15 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	600 mV
Qg – Gate Charge:	–
Minimum driftstemperatur:	– 55 C
Maksimal driftstemperatur:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	360 mW
Channel Mode:	Enhancement
Emballasje:	Spole
Emballasje:	Klipp av tape
Emballasje:	MouseReel
Merkevare:	Microchip Technology
Konfigurasjon:	Enkelt
Fall Time:	25 ns
Forward Transconductance – Min:	125 mS
Høyde:	0,95 mm
Lengde:	2.9 mm
Produkt:	MOSFET Small Signals
Produkttype:	MOSFET
Rise Time:	15 ns
Fabrikkpakke Antall:	3000
Underkategori:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	FET
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Bredde:	1.3 mm
Enhetsvekt:	0.000282 oz

Det er ingen omtaler ennå.