TC6320K6-G

Produktegenskaper

Produsent:	Microchip
Produktkategori:	MOSFET
Technology:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Pakke/etui:	DFN-8
Transistor Polarity:	N-Channel, P-Channel
Antall kanaler:	2 kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id – Continuous Drain Current:	1 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	7 Ohms, 8 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	–
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimum driftstemperatur:	– 55 C
Maksimal driftstemperatur:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Enhancement
Emballasje:	Spole
Emballasje:	Klipp av tape
Emballasje:	MouseReel
Merkevare:	Microchip Technology
Konfigurasjon:	Dual
Fall Time:	15 ns, 15 ns
Forward Transconductance – Min:	400 mS, 400 mS
Høyde:	1.37 mm
Lengde:	4.89 mm
Fuktfølsom:	Ja
Produkt:	MOSFET Small Signals
Produkttype:	MOSFET
Rise Time:	15 ns, 15 ns
Fabrikkpakke Antall:	3300
Underkategori:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns, 20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns, 10 ns
Bredde:	3.91 mm
Enhetsvekt:	0.005686 oz

Det er ingen omtaler ennå.