제조업체: |
onsemi |
제품 카테고리: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
SiC |
장착 스타일: |
구멍을 통해 |
패키지 / 케이스: |
TO-247-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
채널 수: |
1 채널 |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
47 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
70 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 8 V, + 22 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.3 V |
Qg – Gate Charge: |
74 nC |
최소 작동 온도: |
– 55C |
최대 작동 온도: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
176 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Tradename: |
EliteSiC |
시리즈: |
NVH4L060N065SC1 |
포장: |
튜브 |
브랜드: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 11 ns |
Forward Transconductance – Min: | 12 S |
제품 유형: | MOSFET |
Rise Time: | 14 ns |
팩토리 팩 수량: | 450 |
하위 카테고리: | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
NVH4L060N065SC1
제품 속성
제조업체: |
onsemi |
패키지 / 케이스: |
TO-247-4 |
채널 수: |
1 채널 |
시리즈: |
NVH4L060N065SC1 |
제품 유형: | MOSFET |
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