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제조업체: |
NXP |
| 제품 카테고리: | RF MOSFET Transistors |
| REACH – SVHC: | |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Technology: |
Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
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Operating Frequency: |
960 MHz to 1.4 GHz |
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Gain: |
25 dB |
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Output Power: |
10 W |
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최소 작동 온도: |
– 65 C |
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최대 작동 온도: |
+ 150 C |
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장착 스타일: |
Flange Mount |
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패키지 / 케이스: |
PLD-1.5 |
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포장: |
릴 |
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포장: |
테이프 자르기 |
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포장: |
MouseReel |
| 브랜드: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single Dual Source |
| 높이: | 1.83 mm |
| 길이: | 6.73 mm |
| 습기에 민감합니다: | 예 |
| 제품 유형: | RF MOSFET Transistors |
| 시리즈: | MRF6V10010N |
| 팩토리 팩 수량: | 100 |
| 하위 카테고리: | MOSFETs |
| 유형: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| 너비: | 5.97 mm |
| 파트 # 별칭: | 935321297531 |
| 단위 무게: | 0.009877 oz |
MRF6V10010NR4
제품 속성
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제조업체: |
NXP |
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패키지 / 케이스: |
PLD-1.5 |
| 제품 유형: | RF MOSFET Transistors |
| 시리즈: | MRF6V10010N |
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